1. Pregled trenutnog ukupnog tehnološkog statusa LED dioda na bazi silikona

Rast GaN materijala na silicijumskim podlogama suočava se s dva glavna tehnička izazova. Prvo, neusklađenost rešetke od do 17% između silicijumske podloge i GaN dovodi do veće gustine dislokacija unutar GaN materijala, što utiče na efikasnost luminiscencije; Drugo, postoji termička neusklađenost do 54% između silicijumske podloge i GaN, što čini GaN filmove sklonim pucanju nakon rasta na visokim temperaturama i pada na sobnu temperaturu, što utiče na prinos proizvodnje. Stoga je rast puferskog sloja između silicijumske podloge i tankog filma GaN izuzetno važan. Tampon sloj igra ulogu u smanjenju gustine dislokacija unutar GaN i ublažavanju pucanja GaN. U velikoj mjeri, tehnički nivo tampon sloja određuje unutrašnju kvantnu efikasnost i proizvodni prinos LED-a, što je fokus i teškoća silikonskihLED. Od sada, uz značajna ulaganja u istraživanje i razvoj iz industrije i akademske zajednice, ovaj tehnološki izazov je u osnovi prevaziđen.

Silicijumski supstrat snažno apsorbuje vidljivu svetlost, tako da se GaN film mora preneti na drugu podlogu. Prije prijenosa, reflektor visoke refleksije se umeće između GaN filma i druge podloge kako bi se spriječilo da svjetlost koju emituje GaN apsorbira supstrat. LED struktura nakon prijenosa supstrata poznata je u industriji kao tankoslojni čip. Tankofilni čipovi imaju prednosti u odnosu na tradicionalne čipove formalne strukture u smislu difuzije struje, toplotne provodljivosti i jednoličnosti tačke.

2. Pregled trenutnog ukupnog statusa primjene i pregled tržišta LED dioda za silicijumsku podlogu

LED diode na bazi silikona imaju vertikalnu strukturu, ujednačenu distribuciju struje i brzu difuziju, što ih čini pogodnim za aplikacije velike snage. Zbog svoje jednostrane izlazne svjetlosti, dobre usmjerenosti i dobrog kvaliteta svjetla, posebno je pogodan za mobilnu rasvjetu kao što su automobilska rasvjeta, reflektori, rudarske lampe, svjetla za mobilne telefone i vrhunska rasvjetna polja s visokim zahtjevima za kvalitetom svjetlosti .

Tehnologija i proces Jingneng Optoelectronics silikonskog supstrata LED postali su zreli. Na osnovu nastavka održavanja vodećih prednosti u području LED čipova s ​​plavim svjetlom na silikonskom supstratu, naši proizvodi nastavljaju da se proširuju na polja rasvjete koja zahtijevaju usmjereno svjetlo i visokokvalitetan izlaz, kao što su LED čipovi bijele svjetlosti s većim performansama i dodanom vrijednošću. , LED svjetla za mobilni telefon, LED farovi za automobile, LED ulična svjetla, LED pozadinsko osvjetljenje, itd., postepeno uspostavljajući povoljan položaj LED čipova sa silikonskim supstratom u segmentiranoj industriji.

3. Predviđanje trenda razvoja silicijumske podloge LED

Poboljšanje svetlosne efikasnosti, smanjenje troškova ili isplativosti je večna temaLED industrija. Čipovi tankog filma od silikonskog supstrata moraju biti upakovani pre nego što se mogu primeniti, a troškovi pakovanja čine veliki deo troškova primene LED-a. Preskočite tradicionalno pakovanje i direktno upakujte komponente na oblatnu. Drugim riječima, pakovanje čipa (CSP) na pločici može preskočiti kraj pakiranja i direktno ući u kraj aplikacije sa kraja čipa, dodatno smanjujući trošak primjene LED-a. CSP je jedna od perspektiva za LED diode na bazi GaN na silicijumu. Međunarodne kompanije kao što su Toshiba i Samsung su prijavile da koriste LED diode na bazi silikona za CSP, a vjeruje se da će srodni proizvodi uskoro biti dostupni na tržištu.

Poslednjih godina, još jedna vruća tačka u LED industriji je Micro LED, takođe poznat kao LED na nivou mikrometra. Veličina Micro LED dioda se kreće od nekoliko mikrometara do desetina mikrometara, gotovo na istom nivou kao i debljina tankih GaN filmova uzgojenih epitaksijom. Na mikrometarskoj skali, GaN materijali se mogu direktno napraviti u vertikalno strukturirani GaNLED bez potrebe za podrškom. Naime, u procesu pripreme Micro LED dioda, supstrat za uzgoj GaN mora biti uklonjen. Prirodna prednost LED dioda na bazi silicijuma je da se silicijumski supstrat može ukloniti samo hemijskim vlažnim jetkanjem, bez ikakvog uticaja na GaN materijal tokom procesa uklanjanja, obezbeđujući prinos i pouzdanost. Iz ove perspektive, LED tehnologija sa silikonskim supstratom sigurno će imati mjesto u polju mikro LED dioda.